หมายเลขผลิตภัณฑ์ของผู้ผลิต:
SPB21N10 G
Product Overview
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
SPB21N10 G-DG
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
รายละเอียด:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
สินค้าคงคลัง:
12808471
ขอใบเสนอราคา
จำนวน
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) เป็นสิ่งจำเป็น
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
เราจะติดต่อกลับภายใน 24 ชั่วโมง
ส่ง
SPB21N10 G สเปคทางเทคนิค
หมวดหมู่
FETs, MOSFETs, FET เดี่ยว, MOSFET
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
บรรจุภัณฑ์
-
อนุกรม
SIPMOS®
สถานะผลิตภัณฑ์
Obsolete
ประเภท FET
N-Channel
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
ท่อระบายน้ําไปยังแหล่งที่มา Voltage (Vdss)
100 V
กระแส - ท่อระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
21A (Tc)
ไดรฟ์ Voltage (เปิด Rds สูงสุด, เปิด Rds ต่ําสุด)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 44µA
ประจุประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)
±20V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
865 pF @ 25 V
คุณสมบัติ FET
-
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
90W (Tc)
อุณหภูมิ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
PG-TO263-3-2
แพคเกจ / เคส
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
SPB21N
ข้อมูลเอกสาร & เอกสาร
ข้อมูลแผ่นข้อมูล HTML
เอกสารข้อมูล
ข้อมูลเพิ่มเติม
แพ็คเกจมาตรฐาน
1,000
ชื่ออื่น ๆ
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)
1 (Unlimited)
สถานะ REACH
REACH Unaffected
อีซีเอ็น
EAR99
เอชทีเอสเอส
8541.29.0095
โมเดลทางเลือก
หมายเลขชิ้นส่วน
STB30NF10T4
ผู้ผลิต
STMicroelectronics
จำนวนที่มีอยู่
971
หมายเลขชิ้นส่วน
STB30NF10T4-DG
ราคาต่อหน่วย
0.66
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF540SPBF
ผู้ผลิต
Vishay Siliconix
จำนวนที่มีอยู่
2846
หมายเลขชิ้นส่วน
IRF540SPBF-DG
ราคาต่อหน่วย
0.90
ประเภทการแลกเปลี่ยน
MFR Recommended
DIGI รับรอง
สินค้าเกี่ยวข้อง
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
